SUM18N25-165-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 10.4 A, Vds=250 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 818-7473P
- 制造商零件编号:
- SUM18N25-165-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 195 | RMB10.832 |
| 200 - 395 | RMB9.168 |
| 400 - 795 | RMB8.506 |
| 800 + | RMB7.944 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-7473P
- 制造商零件编号:
- SUM18N25-165-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10.4 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 462 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 尺寸 | 10.414 x 9.652 x 4.826mm | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1950 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 宽度 | 9.652mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.826mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10.4 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 462 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
长度 10.41mm | ||
尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1950 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
宽度 9.652mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.826mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TW