SUM90N06-4M4P-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=60 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 818-7495
- 制造商零件编号:
- SUM90N06-4M4P-E3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB103.07
(不含税)
RMB116.47
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB20.614 | RMB103.07 |
| 100 - 195 | RMB17.10 | RMB85.50 |
| 200 - 395 | RMB15.60 | RMB78.00 |
| 400 - 795 | RMB14.30 | RMB71.50 |
| 800 + | RMB13.75 | RMB68.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-7495
- 制造商零件编号:
- SUM90N06-4M4P-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0077 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 宽度 | 9.652mm | |
| 高度 | 4.826mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 6190 pF @ 30 V | |
| 尺寸 | 10.414 x 9.652 x 4.826mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 0.0077 Ω | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
宽度 9.652mm | ||
高度 4.826mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
典型输入电容值@Vds 6190 pF @ 30 V | ||
尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 23 ns | ||
长度 10.41mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TW