SUP90N04-3M3P-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=40 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 818-7509
- 制造商零件编号:
- SUP90N04-3M3P-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB72.82
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RMB82.285
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB14.564 | RMB72.82 |
| 50 - 95 | RMB12.60 | RMB63.00 |
| 100 - 245 | RMB11.242 | RMB56.21 |
| 250 - 495 | RMB10.10 | RMB50.50 |
| 500 + | RMB8.85 | RMB44.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-7509
- 制造商零件编号:
- SUP90N04-3M3P-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.1 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.49mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 5286 pF @ 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 10.51 x 4.65 x 15.49mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 4.1 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
长度 10.51mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 15.49mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
典型关断延迟时间 45 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.65mm | ||
典型输入电容值@Vds 5286 pF @ 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 87 nC @ 10 V | ||
尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW