Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SQ2301ES-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 819-3908
- 制造商零件编号:
- SQ2301ES-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB52.08
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RMB58.86
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | RMB2.604 | RMB52.08 |
| 300 - 580 | RMB2.214 | RMB44.28 |
| 600 - 1480 | RMB1.976 | RMB39.52 |
| 1500 - 2980 | RMB1.86 | RMB37.20 |
| 3000 + | RMB1.786 | RMB35.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 819-3908
- 制造商零件编号:
- SQ2301ES-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
系列 SQ Rugged | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.45V | ||
最大功率耗散 3 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 3.04mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.02mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN