SQM200N04-1M1L-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 200 A, Vds=40 V, 7针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 819-3949
- 制造商零件编号:
- SQM200N04-1M1L-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB23.00 | RMB115.00 |
| 100 - 195 | RMB17.136 | RMB85.68 |
| 200 - 395 | RMB16.80 | RMB84.00 |
| 400 - 795 | RMB15.30 | RMB76.50 |
| 800 + | RMB11.50 | RMB57.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 819-3949
- 制造商零件编号:
- SQM200N04-1M1L-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 宽度 | 9.652mm | |
| 典型关断延迟时间 | 443 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 16524 pF @ 25 V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 尺寸 | 10.414 x 9.652 x 4.826mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 高度 | 4.826mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 2.3 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 375 W | ||
宽度 9.652mm | ||
典型关断延迟时间 443 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 275 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 16524 pF @ 25 V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 SQ Rugged | ||
高度 4.826mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.41mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW