IRFP7530PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 195 A, Vds=60 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 820-8855
- 制造商零件编号:
- IRFP7530PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB59.85
(不含税)
RMB67.63
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB29.925 | RMB59.85 |
| 20 - 48 | RMB17.635 | RMB35.27 |
| 50 - 148 | RMB17.29 | RMB34.58 |
| 150 - 198 | RMB16.57 | RMB33.14 |
| 200 + | RMB16.245 | RMB32.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 820-8855
- 制造商零件编号:
- IRFP7530PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 341 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 274 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 5.31 | |
| 高度 | 20.7 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 195 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 StrongIRFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 341 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 274 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 5.31 | ||
高度 20.7 | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX