BS170P , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.27 A, Vds=60 V, 3针 SOT23封装
- RS 库存编号:
- 822-2160
- 制造商零件编号:
- BS170P
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.804 | RMB48.04 |
| 50 - 390 | RMB4.253 | RMB42.53 |
| 400 - 1990 | RMB3.21 | RMB32.10 |
| 2000 - 3990 | RMB2.217 | RMB22.17 |
| 4000 + | RMB2.076 | RMB20.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2160
- 制造商零件编号:
- BS170P
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 270 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 330 mW | |
| 典型输入电容值@Vds | 60 pF @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 270 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 330 mW | ||
典型输入电容值@Vds 60 pF @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.1mm | ||