DMG1029SV-7, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 SOT563封装
- RS 库存编号:
- 822-2523P
- 制造商零件编号:
- DMG1029SV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 700 | RMB0.933 |
| 750 - 1450 | RMB0.778 |
| 1500 - 2950 | RMB0.666 |
| 3000 + | RMB0.622 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2523P
- 制造商零件编号:
- DMG1029SV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 280 mA，620 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.7 Ω、6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.25 x 0.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.9 ns、5.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.28 nC @ 4.5 V，0.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 25 pF@ -25 V, 30 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 10.6 ns, 15.7 ns | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 280 mA，620 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 1.7 Ω、6 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1 W | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.9 ns、5.5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.28 nC @ 4.5 V，0.3 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 25 pF@ -25 V, 30 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 10.6 ns, 15.7 ns | ||
宽度 1.25mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN