DMG6602SVT-7, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 TSOT26封装
- RS 库存编号:
- 822-2532P
- 制造商零件编号:
- DMG6602SVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 900 | RMB0.60 |
| 1000 - 1400 | RMB0.501 |
| 1500 - 2900 | RMB0.428 |
| 3000 + | RMB0.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2532P
- 制造商零件编号:
- DMG6602SVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.1 A，3.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ、140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOT-26 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.27 W | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns、4.8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V，9 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 290 pF@ 15 V, 350 pF@ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 13 ns, 20 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 2.1 A，3.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 100 mΩ、140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOT-26 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.27 W | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3 ns、4.8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V，9 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 290 pF@ 15 V, 350 pF@ -15 V | ||
典型关断延迟时间 13 ns, 20 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN