DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 350 mA, DFN, 贴片安装, 6引脚, DMN2005DLP4K-7
- RS 库存编号:
- 822-2536
- 制造商零件编号:
- DMN2005DLP4K-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB49.15
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.966 | RMB49.15 |
| 125 - 350 | RMB1.573 | RMB39.33 |
| 375 - 1475 | RMB1.312 | RMB32.80 |
| 1500 - 2975 | RMB1.123 | RMB28.08 |
| 3000 + | RMB1.047 | RMB26.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2536
- 制造商零件编号:
- DMN2005DLP4K-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.38mm | |
| 宽度 | 1.075mm | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 350 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最大功率耗散 400 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.38mm | ||
宽度 1.075mm | ||
高度 0.35mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||