DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 300 mA, DFN, 贴片安装, 3引脚, DMN32D2LFB4-7
- RS 库存编号:
- 822-2570
- 制造商零件编号:
- DMN32D2LFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB60.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.202 | RMB60.10 |
| 250 - 700 | RMB0.961 | RMB48.05 |
| 750 - 1450 | RMB0.802 | RMB40.10 |
| 1500 - 2950 | RMB0.686 | RMB34.30 |
| 3000 + | RMB0.642 | RMB32.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2570
- 制造商零件编号:
- DMN32D2LFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 300 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.2 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 0.65mm | ||
长度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.35mm | ||