DMN63D8LDW-7, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.26 A, Vds=30 V, 6针 SOT363封装
- RS 库存编号:
- 822-2598
- 制造商零件编号:
- DMN63D8LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | RMB0.407 | RMB40.70 |
| 500 - 900 | RMB0.326 | RMB32.60 |
| 1000 - 1400 | RMB0.272 | RMB27.20 |
| 1500 - 2900 | RMB0.233 | RMB23.30 |
| 3000 + | RMB0.217 | RMB21.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2598
- 制造商零件编号:
- DMN63D8LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 260 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.87 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 22 pF @ 25 V | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 260 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 13 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 400 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.87 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 22 pF @ 25 V | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||