DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 11.7 A, POWERDI3333, 贴片安装, 8引脚, DMP3008SFG-7
- RS 库存编号:
- 822-2630
- 制造商零件编号:
- DMP3008SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB60.175
(不含税)
RMB68.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.407 | RMB60.18 |
| 125 - 225 | RMB1.508 | RMB37.70 |
| 250 - 975 | RMB1.504 | RMB37.60 |
| 1000 - 1975 | RMB1.204 | RMB30.10 |
| 2000 + | RMB1.003 | RMB25.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2630
- 制造商零件编号:
- DMP3008SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 11.7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | POWERDI3333 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 2.2 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.35mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.35mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 11.7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 POWERDI3333 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 2.2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.35mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.35mm | ||
高度 0.85mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||