DMP3010LPS-13 , P沟道 MOSFET 晶体管, 7 A, Vds=-30 V, 8针 PowerDI8封装
- RS 库存编号:
- 822-2633
- 制造商零件编号:
- DMP3010LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB55.27
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.527 | RMB55.27 |
| 50 - 240 | RMB5.517 | RMB55.17 |
| 250 - 1240 | RMB4.213 | RMB42.13 |
| 1250 - 2490 | RMB3.009 | RMB30.09 |
| 2500 + | RMB2.598 | RMB25.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2633
- 制造商零件编号:
- DMP3010LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | POWERDI5060 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 58.7 W | |
| 典型关断延迟时间 | 260.7 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 6234 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 126.2 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 11.4 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6 x 5.1 x 1.1mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 POWERDI5060 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 58.7 W | ||
典型关断延迟时间 260.7 ns | ||
典型输入电容值@Vds 6234 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 126.2 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 11.4 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6 x 5.1 x 1.1mm | ||
长度 6mm | ||
高度 1.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5.1mm | ||