DMP3105LVT-7 , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.9 A, Vds=-30 V, 6针 TSOT26封装
- RS 库存编号:
- 822-2646
- 制造商零件编号:
- DMP3105LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB52.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.11 | RMB52.75 |
| 125 - 350 | RMB1.85 | RMB46.25 |
| 375 - 1475 | RMB1.641 | RMB41.03 |
| 1500 - 2975 | RMB1.476 | RMB36.90 |
| 3000 + | RMB1.344 | RMB33.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-2646
- 制造商零件编号:
- DMP3105LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOT-26 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.75 W | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 269 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 839 pF @ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19.8 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.7 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOT-26 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.75 W | ||
宽度 1.6mm | ||
典型关断延迟时间 269 ns | ||
典型输入电容值@Vds 839 pF @ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 19.8 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
典型接通延迟时间 9.7 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||