ZVN2120GTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.32 A, Vds=200 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 823-1811
- 制造商零件编号:
- ZVN2120GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB50.05
(不含税)
RMB56.56
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.005 | RMB50.05 |
| 50 - 90 | RMB4.503 | RMB45.03 |
| 100 - 490 | RMB4.092 | RMB40.92 |
| 500 - 990 | RMB3.751 | RMB37.51 |
| 1000 + | RMB3.22 | RMB32.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-1811
- 制造商零件编号:
- ZVN2120GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 320 mA | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω10 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 宽度 | 3.55mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.55mm | |
| 尺寸 | 6.55 x 3.55 x 1.65mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 85 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 320 mA | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 Ω10 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
宽度 3.55mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.55mm | ||
尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
高度 1.65mm | ||
典型输入电容值@Vds 85 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||