DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, ZVN3310A
- RS 库存编号:
- 823-1820
- 制造商零件编号:
- ZVN3310A
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.521 | RMB70.42 |
| 100 - 380 | RMB3.165 | RMB63.30 |
| 400 - 1980 | RMB2.879 | RMB57.58 |
| 2000 - 3980 | RMB2.638 | RMB52.76 |
| 4000 + | RMB2.262 | RMB45.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-1820
- 制造商零件编号:
- ZVN3310A
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最大功率耗散 | 625 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 2.41mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 4.77mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 4.01mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最大功率耗散 625 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 2.41mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 4.77mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 4.01mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||