DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, SM, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC3A01T8TA
- RS 库存编号:
- 823-1877P
- 制造商零件编号:
- ZXMHC3A01T8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB10.23 |
| 100 - 495 | RMB9.308 |
| 500 - 995 | RMB8.526 |
| 1000 + | RMB7.302 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-1877P
- 制造商零件编号:
- ZXMHC3A01T8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A，3.1 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SM | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ, 330 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 晶体管配置 | 全桥 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 1.8 A，3.1 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SM | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ, 330 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 1.7 W | ||
晶体管配置 全桥 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
长度 6.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V | ||
宽度 3.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.6mm | ||