DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC2990UDJ-7, 190 mA，520 mA, Vds=20 V, 6针 SOT-963封装
- RS 库存编号:
- 823-2911P
- 制造商零件编号:
- DMC2990UDJ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 950 | RMB1.103 |
| 1000 - 4950 | RMB0.802 |
| 5000 - 9950 | RMB0.702 |
| 10000 + | RMB0.602 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-2911P
- 制造商零件编号:
- DMC2990UDJ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 190 mA，520 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 Ω、5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-963 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns、5.8 ns | |
| 高度 | 0.45mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.85 x 0.45mm | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns, 31.1 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 190 mA，520 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 2.4 Ω、5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-963 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
宽度 0.85mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4 ns、5.8 ns | ||
高度 0.45mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm | ||
长度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V | ||
典型关断延迟时间 19 ns, 31.1 ns | ||