DMG6601LVT-7, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 TSOT-26封装
- RS 库存编号:
- 823-2915
- 制造商零件编号:
- DMG6601LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.895 | RMB44.75 |
| 250 - 700 | RMB0.716 | RMB35.80 |
| 750 - 1450 | RMB0.598 | RMB29.90 |
| 1500 - 2950 | RMB0.512 | RMB25.60 |
| 3000 + | RMB0.477 | RMB23.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-2915
- 制造商零件编号:
- DMG6601LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A，4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 85 mΩ、190 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOT-26 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 422 pF@ 15 V, 541 pF@ -15 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 1.6 ns、1.7 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 18.3 ns, 31.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.3 nC @ 10 V，13.8 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 2 A，4.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 85 mΩ、190 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOT-26 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
典型输入电容值@Vds 422 pF@ 15 V, 541 pF@ -15 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.6mm | ||
典型接通延迟时间 1.6 ns、1.7 ns | ||
典型关断延迟时间 18.3 ns, 31.2 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，13.8 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||