DMG9926UDM-7, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4.2 A, Vds=20 V, 6针 SOT-26封装
- RS 库存编号:
- 823-2924
- 制造商零件编号:
- DMG9926UDM-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.535 | RMB76.75 |
| 250 - 700 | RMB1.228 | RMB61.40 |
| 750 - 1450 | RMB1.023 | RMB51.15 |
| 1500 - 2950 | RMB0.877 | RMB43.85 |
| 3000 + | RMB0.821 | RMB41.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-2924
- 制造商零件编号:
- DMG9926UDM-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-26 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 980 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 40.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 8.4 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 856 pF @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.3mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-26 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 980 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 40.4 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 8.4 ns | ||
典型输入电容值@Vds 856 pF @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.3mm | ||
长度 3.1mm | ||