DMG4435SSS-13 , P沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=-30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 823-3205
- 制造商零件编号:
- DMG4435SSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB46.24
(不含税)
RMB52.26
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.312 | RMB46.24 |
| 100 - 280 | RMB1.85 | RMB37.00 |
| 300 - 1180 | RMB1.539 | RMB30.78 |
| 1200 - 2480 | RMB1.319 | RMB26.38 |
| 2500 + | RMB1.237 | RMB24.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-3205
- 制造商零件编号:
- DMG4435SSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 29 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 典型关断延迟时间 | 44.9 ns | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8.6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35.4 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1614 pF @ -15 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 29 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
典型关断延迟时间 44.9 ns | ||
宽度 3.95mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.95mm | ||
尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8.6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 35.4 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1614 pF @ -15 V | ||
高度 1.5mm | ||