DMN2028USS-13 , N沟道 MOSFET 晶体管, 9.8 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 823-3220
- 制造商零件编号:
- DMN2028USS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB51.86
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.593 | RMB51.86 |
| 100 - 280 | RMB2.071 | RMB41.42 |
| 300 - 1180 | RMB1.73 | RMB34.60 |
| 1200 - 2480 | RMB1.48 | RMB29.60 |
| 2500 + | RMB1.384 | RMB27.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-3220
- 制造商零件编号:
- DMN2028USS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.81 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 35.89 ns | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11.67 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.6 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 28 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.81 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
典型关断延迟时间 35.89 ns | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11.67 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 11.6 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 10 V | ||