DMN4800LSSL-13 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 823-3233
- 制造商零件编号:
- DMN4800LSSL-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB78.85
(不含税)
RMB89.10
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.577 | RMB78.85 |
| 250 - 450 | RMB1.262 | RMB63.10 |
| 500 - 1200 | RMB1.051 | RMB52.55 |
| 1250 - 2450 | RMB0.901 | RMB45.05 |
| 2500 + | RMB0.841 | RMB42.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-3233
- 制造商零件编号:
- DMN4800LSSL-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.46 W | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5.03 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.7 nC @ 5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 798 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 26.33 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 20 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.46 W | ||
高度 1.5mm | ||
长度 4.95mm | ||
尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5.03 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 5 V | ||
典型输入电容值@Vds 798 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 26.33 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||