NVMFD5852NLT1G, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 44 A, Vds=40 V, 8针 DFN8封装
- RS 库存编号:
- 823-4166
- 制造商零件编号:
- NVMFD5852NLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB69.52
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.952 | RMB69.52 |
| 100 - 240 | RMB6.336 | RMB63.36 |
| 250 - 490 | RMB5.94 | RMB59.40 |
| 500 - 990 | RMB5.819 | RMB58.19 |
| 1000 + | RMB5.54 | RMB55.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-4166
- 制造商零件编号:
- NVMFD5852NLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 27 W | |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1800 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 12 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 27 W | ||
典型关断延迟时间 27 ns | ||
宽度 5.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.1mm | ||
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1800 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 1.05mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||