NVTFS5124PLTWG , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=-60 V, 8针 WDFN-8封装
- RS 库存编号:
- 823-4185
- 制造商零件编号:
- NVTFS5124PLTWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB41.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB1.64 | RMB41.00 |
| 100 - 475 | RMB1.608 | RMB40.20 |
| 500 - 975 | RMB1.576 | RMB39.40 |
| 1000 - 2475 | RMB1.545 | RMB38.63 |
| 2500 + | RMB1.515 | RMB37.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-4185
- 制造商零件编号:
- NVTFS5124PLTWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 18 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.75mm | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 13 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 250 pF @ -25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 18 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 3.15mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 0.75mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm | ||
宽度 3.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 13 ns | ||
典型输入电容值@Vds 250 pF @ -25 V | ||