BSD840N, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.88 A, Vds=20 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 823-5493
- 制造商零件编号:
- BSD840N
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB30.10
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RMB34.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.602 | RMB30.10 |
| 100 - 450 | RMB0.481 | RMB24.05 |
| 500 - 2950 | RMB0.371 | RMB18.55 |
| 3000 - 8950 | RMB0.345 | RMB17.25 |
| 9000 + | RMB0.321 | RMB16.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5493
- 制造商零件编号:
- BSD840N
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 880 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 560 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.75V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 55 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 7.8 ns | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.26 nC @ 2.5 V | |
| 典型接通延迟时间 | 1.9 ns | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 880 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 560 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.75V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 55 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 7.8 ns | ||
宽度 1.25mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 2.5 V | ||
典型接通延迟时间 1.9 ns | ||
长度 2mm | ||
高度 0.8mm | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN