SPA08N80C3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=800 V, 3针 TO-220FP封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

8 A

最大漏源电压

800 V

最大漏源电阻值

1.5 Ω

最大栅阈值电压

3.9V

最小栅阈值电压

2.1V

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

晶体管配置

单

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

40 W

典型输入电容值@Vds

1100 pF @ 100 V

长度

10.65mm

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

45 nC @ 10 V

典型关断延迟时间

72 ns

尺寸

10.65 x 4.85 x 16.15mm

晶体管材料

Si

宽度

4.85mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

25 ns

高度

16.15mm

最高工作温度

+150 °C

系列

CoolMOS C3