BSP315P , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.94 A, Vds=-60 V, 3 + Tab针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 823-5689
- 制造商零件编号:
- BSP315P
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB43.34
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RMB48.98
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.167 | RMB43.34 |
| 100 - 380 | RMB1.734 | RMB34.68 |
| 400 - 580 | RMB1.337 | RMB26.74 |
| 600 - 980 | RMB1.242 | RMB24.84 |
| 1000 + | RMB1.231 | RMB24.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5689
- 制造商零件编号:
- BSP315P
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 940 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.2 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 130 pF @ -25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 940 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 1.4 Ω | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
高度 1.6mm | ||
系列 SIPMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm | ||
典型接通延迟时间 24 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 130 pF @ -25 V | ||
典型关断延迟时间 32 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY