IPD60R3K3C6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=650 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 823-5706P
- 制造商零件编号:
- IPD60R3K3C6
- 制造商:
- Infineon
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RMB297.00
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RMB336.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 490 | RMB2.97 |
| 500 - 1490 | RMB2.464 |
| 1500 - 2490 | RMB2.06 |
| 2500 + | RMB1.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5706P
- 制造商零件编号:
- IPD60R3K3C6
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.72 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 18.1 W | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 系列 | CoolMOS C6 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 93 pF @ 100 V | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 7.72 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 18.1 W | ||
高度 2.41mm | ||
系列 CoolMOS C6 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.6 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 93 pF @ 100 V | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN