IPD60R2K0C6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=650 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 823-5712
- 制造商零件编号:
- IPD60R2K0C6
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB47.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB4.71 | RMB47.10 |
| 100 - 490 | RMB3.61 | RMB36.10 |
| 500 - 990 | RMB3.047 | RMB30.47 |
| 1000 - 2490 | RMB2.43 | RMB24.30 |
| 2500 + | RMB2.04 | RMB20.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5712
- 制造商零件编号:
- IPD60R2K0C6
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.68 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 22.3 W | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 140 pF @ 100 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 系列 | CoolMOS C6 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 4.68 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 22.3 W | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 140 pF @ 100 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
高度 2.41mm | ||
系列 CoolMOS C6 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY