BSZ110N06NS3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=60 V, 8针 TSDSON8EP封装
- RS 库存编号:
- 823-5724
- 制造商零件编号:
- BSZ110N06NS3 G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB42.68
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.268 | RMB42.68 |
| 50 - 190 | RMB4.191 | RMB41.91 |
| 200 - 2490 | RMB3.84 | RMB38.40 |
| 2500 - 4990 | RMB2.44 | RMB24.40 |
| 5000 + | RMB2.427 | RMB24.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5724
- 制造商零件编号:
- BSZ110N06NS3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 50 | |
| 正向电压 Vf | 0.9 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4 | |
| 宽度 | 3.4 | |
| 高度 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 50 | ||
正向电压 Vf 0.9 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4 | ||
宽度 3.4 | ||
高度 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY