Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.1 A, PICOSTAR, 表面安装, 3引脚, CSD17381F4T, FemtoFET系列
- RS 库存编号:
- 823-9240
- 制造商零件编号:
- CSD17381F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB57.00
(不含税)
RMB64.40
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB2.85 | RMB57.00 |
| 40 - 80 | RMB2.50 | RMB50.00 |
| 100 - 480 | RMB2.14 | RMB42.80 |
| 500 - 980 | RMB1.58 | RMB31.60 |
| 1000 + | RMB1.08 | RMB21.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-9240
- 制造商零件编号:
- CSD17381F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | FemtoFET | |
| 包装类型 | PICOSTAR | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.04nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 正向电压 Vf | 0.73V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 长度 | 1.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.1A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 FemtoFET | ||
包装类型 PICOSTAR | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.04nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
正向电压 Vf 0.73V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.35mm | ||
长度 1.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH