CSD19531Q5AT , N沟道 MOSFET 晶体管, 110 A, Vds=100 V, 8针 VSON封装
- RS 库存编号:
- 823-9259
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5AT
- 制造商:
- Texas Instruments
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB99.50
(不含税)
RMB112.45
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB19.90 | RMB99.50 |
| 10 - 45 | RMB17.90 | RMB89.50 |
| 50 - 95 | RMB14.60 | RMB73.00 |
| 100 - 495 | RMB14.50 | RMB72.50 |
| 500 + | RMB10.90 | RMB54.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-9259
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5AT
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 系列 | NexFET | |
| 包装类型 | VSON | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 0.8 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 125 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 1.1 | |
| 宽度 | 5 | |
| 长度 | 6.1 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
系列 NexFET | ||
包装类型 VSON | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 0.8 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 125 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 1.1 | ||
宽度 5 | ||
长度 6.1 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH