Texas Instruments FemtoFET 系列 Si P沟道 MOSFET CSD25481F4T, 2.5 A, Vds=20 V, 3针 PICOSTAR封装
- RS 库存编号:
- 823-9262
- 制造商零件编号:
- CSD25481F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB2.85 | RMB57.00 |
| 40 - 80 | RMB2.50 | RMB50.00 |
| 100 - 480 | RMB2.14 | RMB42.80 |
| 500 - 980 | RMB1.58 | RMB31.60 |
| 1000 + | RMB1.08 | RMB21.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-9262
- 制造商零件编号:
- CSD25481F4T
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 800 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 封装类型 | PICOSTAR | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 宽度 | 0.64mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.913 nC @ 4.5 V | |
| 尺寸 | 1.04 x 0.64 x 0.35mm | |
| 长度 | 1.04mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | FemtoFET | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 4.1 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 189 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 16.9 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 800 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
封装类型 PICOSTAR | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
宽度 0.64mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.913 nC @ 4.5 V | ||
尺寸 1.04 x 0.64 x 0.35mm | ||
长度 1.04mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 FemtoFET | ||
高度 0.35mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 4.1 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 189 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 16.9 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- PH