IPD042P03L3G , P沟道 MOSFET 晶体管, 70 A, Vds=-30 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 825-9051
- 制造商零件编号:
- IPD042P03L3G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB98.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB9.87 | RMB98.70 |
| 250 - 740 | RMB7.00 | RMB70.00 |
| 750 - 1190 | RMB6.00 | RMB60.00 |
| 1200 - 2490 | RMB5.00 | RMB50.00 |
| 2500 + | RMB4.95 | RMB49.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9051
- 制造商零件编号:
- IPD042P03L3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 150 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | -1.1 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 131 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41 | |
| 宽度 | 5.97 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 70 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 150 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf -1.1 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 131 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41 | ||
宽度 5.97 | ||
汽车标准 否 | ||