BSF030NE2LQ , N沟道 MOSFET 晶体管, 75 A, Vds=25 V, 2针 WDSON封装
- RS 库存编号:
- 825-9073
- 制造商零件编号:
- BSF030NE2LQ
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB112.10
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RMB126.68
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | RMB5.605 | RMB112.10 |
| 500 - 980 | RMB4.10 | RMB82.00 |
| 1000 - 2480 | RMB3.23 | RMB64.60 |
| 2500 - 4980 | RMB2.74 | RMB54.80 |
| 5000 + | RMB2.72 | RMB54.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9073
- 制造商零件编号:
- BSF030NE2LQ
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.1 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 28 W | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.88mm | |
| 尺寸 | 4.88 x 3.95 x 0.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 2.8 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1700 pF @ 12 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 4.1 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 2 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 28 W | ||
高度 0.7mm | ||
系列 OptiMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.88mm | ||
尺寸 4.88 x 3.95 x 0.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 2.8 ns | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 12 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.95mm | ||