BSZ086P03NS3G , P沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=-30 V, 8针 TSDSON封装
- RS 库存编号:
- 825-9130
- 制造商零件编号:
- BSZ086P03NS3G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB115.00
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RMB130.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | RMB5.75 | RMB115.00 |
| 500 - 980 | RMB3.90 | RMB78.00 |
| 1000 - 2480 | RMB3.219 | RMB64.38 |
| 2500 - 4980 | RMB3.156 | RMB63.12 |
| 5000 + | RMB3.094 | RMB61.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9130
- 制造商零件编号:
- BSZ086P03NS3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43.2 | |
| 正向电压 Vf | -1.1 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 69 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.4 | |
| 长度 | 3.4 | |
| 高度 | 1.1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.2 | ||
正向电压 Vf -1.1 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 69 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.4 | ||
长度 3.4 | ||
高度 1.1 | ||
汽车标准 否 | ||
不适用