IPB020NE7N3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=75 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 825-9213
- 制造商零件编号:
- IPB020NE7N3G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB178.00
(不含税)
RMB201.15
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB35.60 | RMB178.00 |
| 100 - 245 | RMB26.10 | RMB130.50 |
| 250 - 495 | RMB23.50 | RMB117.50 |
| 500 - 995 | RMB21.10 | RMB105.50 |
| 1000 + | RMB17.92 | RMB89.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9213
- 制造商零件编号:
- IPB020NE7N3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120 | |
| 最大漏源电压 Vd | 75 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 155 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 300 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 9.45 | |
| 高度 | 4.57 | |
| 长度 | 10.31 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 120 | ||
最大漏源电压 Vd 75 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 155 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 300 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 9.45 | ||
高度 4.57 | ||
长度 10.31 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
不适用