IPG20N04S4L-08, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=40 V, 8针 TDSON-8-4封装
- RS 库存编号:
- 825-9222
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L-08
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB142.46
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | RMB7.123 | RMB142.46 |
| 500 - 980 | RMB5.67 | RMB113.40 |
| 1000 - 2480 | RMB4.45 | RMB89.00 |
| 2500 - 4980 | RMB3.78 | RMB75.60 |
| 5000 + | RMB3.59 | RMB71.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9222
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L-08
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10.9 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 54 W | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | OptiMOS T2 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 尺寸 | 5.15 x 6.15 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 宽度 | 6.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2350 pF @ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 10.9 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 54 W | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
高度 1mm | ||
系列 OptiMOS T2 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 5.15mm | ||
尺寸 5.15 x 6.15 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
宽度 6.15mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2350 pF @ 25 V | ||
不适用