BSZ12DN20NS3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 11.3 A, Vds=200 V, 8针 TSDSON封装
- RS 库存编号:
- 825-9257
- 制造商零件编号:
- BSZ12DN20NS3G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB86.24
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RMB97.45
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | RMB8.624 | RMB86.24 |
| 500 - 990 | RMB6.28 | RMB62.80 |
| 1000 - 2490 | RMB4.93 | RMB49.30 |
| 2500 - 4990 | RMB4.18 | RMB41.80 |
| 5000 + | RMB3.98 | RMB39.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9257
- 制造商零件编号:
- BSZ12DN20NS3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11.3 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.1mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 510 pF @ 100 V | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11.3 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 125 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 50 W | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm | ||
长度 3.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 510 pF @ 100 V | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
不适用