BSC060P03NS3E G , P沟道 MOSFET 晶体管, 17.7 A, Vds=-30 V, 8针 TDSON-8封装
- RS 库存编号:
- 825-9409
- 制造商零件编号:
- BSC060P03NS3E G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB36.11
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- 最终 6,315 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | RMB7.222 | RMB36.11 |
| 500 - 995 | RMB5.778 | RMB28.89 |
| 1000 - 2495 | RMB4.454 | RMB22.27 |
| 2500 - 4995 | RMB4.132 | RMB20.66 |
| 5000 + | RMB3.852 | RMB19.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 825-9409
- 制造商零件编号:
- BSC060P03NS3E G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0096 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.1V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.35 x 1.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 4530 pF @ -15 V | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 66 ns | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 0.0096 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.9V | ||
最小栅阈值电压 3.1V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 83 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 4530 pF @ -15 V | ||
长度 6.1mm | ||
典型关断延迟时间 66 ns | ||
宽度 5.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY