IPB65R190CFD , N沟道 MOSFET 晶体管, 17.5 A, Vds=700 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-8229
- 制造商零件编号:
- IPB65R190CFD
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB57.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB28.90 | RMB57.80 |
| 20 - 98 | RMB23.20 | RMB46.40 |
| 100 - 498 | RMB21.20 | RMB42.40 |
| 500 - 998 | RMB17.10 | RMB34.20 |
| 1000 + | RMB15.80 | RMB31.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8229
- 制造商零件编号:
- IPB65R190CFD
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17.5 A | |
| 最大漏源电压 | 700 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 151 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1850 pF @ 100 V | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 53.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | CoolMOS CFD | |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17.5 A | ||
最大漏源电压 700 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 151 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1850 pF @ 100 V | ||
宽度 9.45mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 53.2 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 CoolMOS CFD | ||
尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
高度 4.57mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- MY