BSS670S2L , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.54 A, Vds=55 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 826-8251
- 制造商零件编号:
- BSS670S2L
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB22.05
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RMB24.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.441 | RMB22.05 |
| 250 - 450 | RMB0.353 | RMB17.65 |
| 500 - 1450 | RMB0.273 | RMB13.65 |
| 1500 - 2950 | RMB0.253 | RMB12.65 |
| 3000 + | RMB0.237 | RMB11.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8251
- 制造商零件编号:
- BSS670S2L
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 540 mA | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 650 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 降压转换器 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 典型输入电容值@Vds | 56 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.7 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 540 mA | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 650 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 降压转换器 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
典型输入电容值@Vds 56 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- MY