制造商编号

BSS806N , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.3 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装

RS 库存编号:: 826-8260P
制造商零件编号:: BSS806N
制造商:: Infineon

BSS806N , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.3 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装

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RS 库存编号:: 826-8260P
制造商零件编号:: BSS806N
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品概述和技术数据表

法例与合规

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	2.3 A
	最大漏源电压	20 V
	最大漏源电阻值	82 mΩ
	最大栅阈值电压	0.75V
	最小栅阈值电压	0.3V
	最大栅源电压	-8 V、+8 V
	封装类型	SOT-23
	安装类型	表面贴装
	引脚数目	3
	晶体管配置	单
	通道模式	增强
	类别	小信号
	最大功率耗散	500 mW
	宽度	1.3mm
	每片芯片元件数目	1
	最低工作温度	-55 °C
	典型栅极电荷@Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
	典型输入电容值@Vds	370 pF @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	典型关断延迟时间	12 ns
	高度	1mm
	系列	OptiMOS 2
	长度	2.9mm
	尺寸	2.9 x 1.3 x 1mm
	晶体管材料	Si
	典型接通延迟时间	7.5 ns

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 2.3 A
	最大漏源电压 20 V
	最大漏源电阻值 82 mΩ
	最大栅阈值电压 0.75V
	最小栅阈值电压 0.3V
	最大栅源电压 -8 V、+8 V
	封装类型 SOT-23
	安装类型表面贴装
	引脚数目 3
	晶体管配置单
	通道模式增强
	类别小信号
	最大功率耗散 500 mW
	宽度 1.3mm
	每片芯片元件数目 1
	最低工作温度 -55 °C
	典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 2.5 V
	典型输入电容值@Vds 370 pF @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	典型关断延迟时间 12 ns
	高度 1mm
	系列 OptiMOS 2
	长度 2.9mm
	尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
	晶体管材料 Si
	典型接通延迟时间 7.5 ns

BSS806N OptiMOS 2 Small Signal Transistor Data Sheet

COO (Country of Origin):: CN