SPP08P06P H , P沟道 MOSFET 晶体管, 8.8 A, Vds=-60 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 826-8279P
- 制造商零件编号:
- SPP08P06P H
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
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RMB103.20
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RMB116.60
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 35 | RMB5.16 |
| 40 - 245 | RMB4.268 |
| 250 - 495 | RMB3.938 |
| 500 + | RMB3.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8279P
- 制造商零件编号:
- SPP08P06P H
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 335 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 42 W | ||
典型关断延迟时间 48 ns | ||
长度 10.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.57mm | ||
典型输入电容值@Vds 335 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
高度 15.95mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
- COO (Country of Origin):
- MY