IPB80N03S4L-02 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-8954
- 制造商零件编号:
- IPB80N03S4L-02
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB166.975
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RMB188.675
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB6.679 | RMB166.98 |
| 100 - 475 | RMB6.543 | RMB163.58 |
| 500 - 1225 | RMB6.019 | RMB150.48 |
| 1250 - 2475 | RMB5.02 | RMB125.50 |
| 2500 + | RMB4.25 | RMB106.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8954
- 制造商零件编号:
- IPB80N03S4L-02
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0032 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 136 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 7500 pF @ 25 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 尺寸 | 10 x 9.25 x 4.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 62 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.25mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 系列 | OptiMOS T2 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 0.0032 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 136 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 7500 pF @ 25 V | ||
长度 10mm | ||
尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
典型关断延迟时间 62 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.25mm | ||
高度 4.4mm | ||
系列 OptiMOS T2 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
不适用