IPB50N10S3L-16 , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=100 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-8958
- 制造商零件编号:
- IPB50N10S3L-16
- 制造商:
- Infineon
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RMB228.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB9.14 | RMB228.50 |
| 125 - 225 | RMB6.992 | RMB174.80 |
| 250 - 350 | RMB6.854 | RMB171.35 |
| 375 - 725 | RMB6.72 | RMB168.00 |
| 750 + | RMB6.393 | RMB159.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8958
- 制造商零件编号:
- IPB50N10S3L-16
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.029 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3215 pF @ 25 V | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 宽度 | 9.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | OptiMOS T | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 10 x 9.25 x 4.4mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.029 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 100 W | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3215 pF @ 25 V | ||
高度 4.4mm | ||
宽度 9.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 OptiMOS T | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm | ||
长度 10mm | ||
不适用