IPB17N25S3-100 , N沟道 MOSFET 晶体管, 17 A, Vds=250 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-9002P
- 制造商零件编号:
- IPB17N25S3-100
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 80 - 380 | RMB6.08 |
| 400 - 980 | RMB5.458 |
| 1000 - 1980 | RMB4.835 |
| 2000 + | RMB4.531 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9002P
- 制造商零件编号:
- IPB17N25S3-100
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17 | |
| 最大漏源电压 Vd | 250 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | OptiMOS T | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 107 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 9.25 | |
| 长度 | 10 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.4 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 17 | ||
最大漏源电压 Vd 250 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 OptiMOS T | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 107 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 9.25 | ||
长度 10 | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.4 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用