IPD50R3K0CEBTMA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=550 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 826-9018
- 制造商零件编号:
- IPD50R3K0CEBTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB190.65
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RMB215.45
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RMB3.813 | RMB190.65 |
| 500 - 950 | RMB2.60 | RMB130.00 |
| 1000 - 2450 | RMB2.07 | RMB103.50 |
| 2500 - 4950 | RMB1.904 | RMB95.20 |
| 5000 + | RMB1.867 | RMB93.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9018
- 制造商零件编号:
- IPD50R3K0CEBTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 550 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.02 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 18 W | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型接通延迟时间 | 7.3 ns | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 84 pF @ 100 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 550 V | ||
最大漏源电阻值 7.02 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 18 W | ||
系列 CoolMOS CE | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
典型接通延迟时间 7.3 ns | ||
高度 2.41mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 84 pF @ 100 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
不适用